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基于ZIF-67的高性能钴基费托合成催化剂研究

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近日,课题组陈耀博士分别在Applied Catalysis B: EnvironmentalACS Applied Materials & Interfaces上发表费-托合成体系研究论文,通讯作者为李振花研究员,其中ACS Applied Materials & Interfaces文章被选为封面论文。该研究工作以ZIF-67为基础,通过两步/一步掺硅的方法制备了高活性、高稳定性及低CH4选择性的费-托合成催化剂,并探究了影响传统ZIF-67衍生Co@C催化剂费-托合成反应性能的关键因素。







背景介绍



-托合成反应是将合成气(H2CO)转化为清洁燃料和高附加值化学品的催化过程,高性能催化剂的开发是制约该技术工业化应用的关键。高温碳化钴基金属有机骨架化合物(Co-MOFs)是获得高负载量、高还原度以及高钴分散性能费-托合成催化剂的有效途径,但这些衍生得到的Co@C催化剂中石墨碳层会抑制合成气的吸附和活化,使得催化剂表现出较低的费-托合成活性和较高的甲烷选择性,因此亟需优化Co-MOFs衍生催化剂的制备方案。

研究内容



为了移除ZIF-67衍生Co@C催化剂钴物种表面石墨碳层并抑制钴物种团聚,首先将不同烷氧基链长度的硅源(TMOSTEOSTPOS)通过浸渍法加入至ZIF-67孔道结构中,经水蒸气辅助水解、高温碳化及空气煅烧后制备了不同SiO2锚定能力的Co3O4/SiO2催化剂(图1-a)。研究结果表明,通过两步法制备的催化剂CTY值高于Co@C催化剂,且能将CH4选择性由17.7%降低至9.1%。然而,随着烷氧基链长度由-OCH3增加至-OCH2CH2CH3,衍生的SiO2锚定能力逐渐下降,使得两步法制得的Co3O4/SiO2催化剂CTY值由4.5×105 molCO·gCo1·s1降低至2.7×105 molCO·gCo1·s1。且由于后浸渍硅源生成的SiO2物种限域锚定能力较弱,使得通过两步法制备的催化剂均表现出较差的稳定性(图1-b)。

1. (a) 两步法M-Co3O4/SiO2催化剂制备过程;(b) 两步法催化剂费-托合成活性

为了进一步提高ZIF-67衍生催化剂的活性及稳定性,开发了一步催化剂合成法(图2-a)。该方法将ZIF-67合成过程与TEOS水解过程相结合,使水解得到的SiO2物种能更好地进入ZIF-67孔道结构中。经高温碳化和空气煅烧后,原位引入的SiO2物种能更好地支撑锚定钴物种,使得该催化剂表现出更好的费-托合成反应性能。图2-a结果表明随着TEOS加入量由0 g增加至16 g,催化剂的活性呈现先增加再降低的趋势。E-Co3O4@4SiO2催化剂由于具有合适的钴负载量、较好的分散性能和传质扩散性质,使其表现出最高的CO转化率(74.9%)和CTY值(10.4×10−5 molCO·gCo−1·s−1)。2-c-d结果表明E-Co3O4@4SiO2催化剂的CTY值是传统Co@C催化剂的5倍,且高于其他ZIF-67衍生催化剂及传统负载型催化剂。


2. (a) E-Co3O4@SiO2催化剂制备过程;(b) E-Co3O4@SiO2催化剂费-托合成活性;(c) E-Co3O4@4SiO2催化剂与传统 ZIF-67衍生催化剂CTY 值比较;(d) E-Co3O4@4SiO2催化剂与不同负载型催化剂CTY 值比较
为了探究影响Co@C催化剂费-托合成反应性能的关键因素,将E-Co@C@4SiO2中间体置于不同氧气浓度(0%~21%)中煅烧,通过逐步去除催化剂中碳物种的方法研究了钴物种表面的石墨碳层对该催化剂费-托合成反应性能的影响。随着煅烧氧气浓度由0%增加至5%,由于催化剂中碳物种逐渐移除(图3-a),金属钴位点逐渐得到释放,使得催化剂活性由10.4%增加至66.9%(图3-b)。当氧气浓度高于5%后,由于碳物种已完全移除,催化剂活性不再增加(66.9%~71.9%),保持稳定,说明碳物种含量已不再影响催化活性。在此基础上,还通过构建Co@C*模型催化剂的方法证明了催化剂中的钴微晶(dCo6 nm)是导致ZIF-67衍生Co@C催化剂高CH4选择性的关键。

3. (a) E-Co@C@4SiO2-n%O2催化剂TG结果;(b) E-Co@C@4SiO2-n%O2催化剂费-托合成反应性能


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